Gruppenleiter (m/w/d) - Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) Nitrid-Halbleiter

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.

Im Bereich der Epitaxie von Nitrid-Halbleitern entwickeln wir Prozesse für die Herstellung komplexer nitridischer Halbleiter-Schichtfolgen mit dem Verfahren der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD). Wir arbeiten eng mit internen und externen Projektpartnern und industriellen Kunden zusammen, die nach zuverlässigen und effizienten Lösungen im Bereich der Epitaxie von GaN-basierenden Heterostrukturen suchen.

Sie sind dabei als Teil eines Teams aus Wissenschaftler*innen, Ingenieur*innen und Techniker*innen an aktuellen Forschungsprojekten zur Entwicklung innovativer elektronischer und optoelektronischer Bauteile für zahlreiche Anwendungen, z.B. in der Leistungselektronik, beteiligt.

Was Sie bei uns tun

Sie leiten die Gruppe »III-Nitride« in der Abteilung Epitaxie – ein kompetentes Team aus Wissenschaftler*innen, Ingenieur*innen und Techniker*innen, das an aktuellen Forschungsprojekten zur Entwicklung innovativer elektronischer und optoelektronischer Bauteile für zahlreiche Anwendungen, z.B. in der Leistungselektronik, arbeitet.

• Sie tragen die wissenschaftliche Verantwortung für die MOCVD von Nitrid-Halbleitern sowie für den sicheren und effektiven Betrieb der dafür eingesetzten Großanlagen.
• Dabei unterstützen Sie unsere Techniker*innen bzw. Ingenieur*innen und leiten sie bei Betrieb, Optimierung und Wartung der Anlagen an.
• Sie entwickeln und optimieren bestehende und neue MOCVD-Prozesse und charakterisieren die Oberflächenmorphologie epitaktischer Schichten mittels optischer und Rasterkraftmikroskopie und nutzen sowohl Kapazitäts-Spannungs(CV)- als auch Hall-Messungen, um ihre elektrischen Eigenschaften zu bestimmen.
• Zusammen mit Ergebnissen der hochauflösenden Röntgendiffraktometrie (HRXRD), Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) und Photolumineszenz-Spektroskopie (PL) verwenden Sie diese Daten zur Bewertung der Materialqualität.
• Darüber hinaus übernehmen Sie die Analyse und Modellbildung der Wachstumskinetik der Epitaxie-Prozesse.
• Sie nutzen Charakterisierungsdaten von Bauelementen, die aus den epitaxierten Schichten hergestellt werden, um die Epitaxiestrukturen und Wachstumsbedingungen anzupassen und die Leistungsparameter der Bauelemente zu verbessern.
  
  
  

Was Sie mitbringen

• Sie verfügen über ein abgeschlossenes Master- oder Diplomstudium in Physik, Chemie, Kristallographie, Materialwissenschaften oder einer vergleichbaren Fachrichtung, bevorzugt mit Promotion.
• Sie bringen wissenschaftliches Interesse und Berufserfahrung in der Epitaxie, Kristallzucht oder Wachstumskinetik mit und haben ein grundlegendes Verständnis von Halbleiter-Bauelementen.
• Sie haben Erfahrung in der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung oder alternativen Epitaxieverfahren.
• Sie verfügen über Know-how in der Projektakquise von öffentlichen (national und Europäische Union) und industriellen Forschungsprojekten und haben Praxis in der Projektplanung, -koordinierung und im Projektmanagement.
• Sie zeichnen sich durch Ihren Teamgeist, Ihr Kommunikationsgeschick sowie eine eigenständige und zielgerichtete Arbeitsweise aus.
• Gute Englischkenntnisse (B2+) runden Ihr Profil ab.
  
  
  

Was Sie erwarten können

• Eine verantwortungsvolle Position, in der Sie sowohl mit Ihren wissenschaftlichen als auch mit Ihren organisatorischen Qualitäten punkten können
• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
• Breit gefächerte Forschungsbereiche, die sowohl Spezialisierung wie auch interdisziplinäres Arbeiten ermöglichen
• Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
• Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
• Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
• Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen
• Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Beruf und Familie (u.a. Mit-Kind-Büro, mobiles Arbeiten, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
• Wir bieten ein vergünstigtes Jobticket, eine Frelo Station (Fahrradverleihsystem) und ein Parkhaus mit E-Ladestation direkt am Institut
  
  
  

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren.

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich über den "Jetzt bewerben"- Button mit Ihrem Lebenslauf, einem Anschreiben und Ihren Zeugnissen. Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!

Fragen zu dieser Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne:

Claudia Russo

[email protected]

Fraunhofer IAF

Personalabteilung

Tullastraße 72

79108 Freiburg

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

www.iaf.fraunhofer.de

Kennziffer: 75211 Bewerbungsfrist: